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2017年5月16日，威尼斯人娱乐城（北京）科技成果评价中心组织专家，在昆明召开了由云南大学完成的"Si基纳米光电子材料制备科学与性能研究"项目科技成果评价会，专家审阅了技术资料，听取了技术总结报告，经质询、答疑和讨论，形成如下评价意见：

1、技术资料齐全，数据翔实，符合科技成果评价要求。

2、成果率先提出了采用溅射技术制备高密度Ge量子点的方法，使得大规模生长Ge量子点光电子材料成为可能。

3、成果提出了一种Si离子注入改性发光技术，获得了与光纤低损耗窗口匹配的室温全硅发光材料。

4、在Eu3+和Tb3+离子共硅酸盐微晶玻璃中，实现了白光发射。采用导电原子力显微镜观察到Ge量子点的空穴共振隧穿效应。

5、成果发表论文73篇，其中SCI收录28篇，EI收录28篇；已获得6项发明专利授权。

综上所述，该成果研发了三类Si基发光材料，在Si材料的制备科学和光电性能领域创新性较强，总体达到国际先进水平。

建议：加强应用研究。

出席嘉宾名单

陈家林 贵研铂业股份有限公司研究员

张若岚 云南北方红外集团公司物理研究室研究员

雷 霆 昆明冶金专科学校教授

杨 斌 昆明理工大学教授

邱建备 昆明理工大学教授

王晓旭 云南省科学技术院研究员

秦 穆 云南省对外科技合作协会研究员